Какова максимальная верхняя граница запрещенной зоны у полупроводников?

Максимальная верхняя граница запрещенной зоны у полупроводников зависит от конкретного материала, из которого они изготовлены. Запрещенная зона представляет собой диапазон энергий, которые электроны не могут занимать в атоме или кристаллической структуре материала. При наличии достаточной энергии электроны могут перейти из валентной зоны в зону проводимости и стать свободными носителями заряда.

Для большинства полупроводников верхняя граница запрещенной зоны составляет около 2 эВ (электрон-вольт). Это значение считается типичным для полупроводников, таких как кремний (Si) и германий (Ge). Однако, стоит отметить, что наличие примесей или дефектов в структуре полупроводника может изменить ширину запрещенной зоны и, следовательно, изменить максимальное значение границы.

Изменение ширины запрещенной зоны у полупроводников позволяет контролировать их электрические свойства. Например, полупроводники с широкой запрещенной зоной являются материалами с большей электрической изоляцией и используются для создания изоляторов или диэлектриков. Полупроводники с узкой запрещенной зоной являются материалами с хорошей электрической проводимостью и используются для создания полупроводниковых приборов, таких как диоды, транзисторы и интегральные схемы.

Вывод: максимальная верхняя граница запрещенной зоны у полупроводников составляет около 2 эВ, но может варьироваться в зависимости от конкретного материала и его особенностей.